| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zum Entfernen unerwünschter Partikel aus einem Halbleitergehäuse offenbart. Das Verfahren umfasst das Einleiten von Trockeneis in zufällige Hohlräume des Halbleitergehäuses und das Entfernen der unerwünschten Partikel aus den zufälligen Hohlräumen unter Verwendung des Trockeneises, wobei das Trockeneis bewirkt, dass sich die unerwünschten Partikel aus den zufälligen Hohlräumen lösen, und wobei die unerwünschten Partikel durch ein Abfuhrsystem entfernt werden. Das Verfahren umfasst ferner, das Halbleitergehäuse in ein Vakuum zu bringen, indem Stickstoff in die zufälligen Hohlräume geleitet und das Halbleitergehäuse hermetisch versiegelt wird, um ein hermetisch dichtes Halbleitergehäuse herzustellen. Zumindest einer der zufälligen Hohlräume ist auf einer Oberfläche eines Halbleiterdies in dem Halbleitergehäuse. |
