| 摘要 |
いくつかの特徴は、基板と、基板に結合されたいくつかの金属層と、基板に結合されたいくつかの誘電体層と、金属層のうちの１つに結合された第１の金属再配線層と、第１の金属再配線層に結合された第２の金属再配線層とを含む集積デバイスに関連する。第１および第２の金属再配線層は、集積デバイス内の環状インダクタとして動作するように構成される。いくつかの実装形態では、集積デバイスは、第３の金属再配線層も含む。第３の金属再配線層は、第１および第２の金属再配線層に結合される。第３の金属再配線層は、ビアである。いくつかの実装形態では、第１、第２、および第３の金属再配線層は、集積デバイス内の環状インダクタとして動作するように構成される。いくつかの実装形態では、第１、第２、および第３の再配線層は、環状インダクタの巻線のセットを形成する。 |
