| 摘要 |
オン抵抗の温度に対する変化を低減することができる半導体装置を提供する。第一の導電型の半導体基板１と、半導体基板１上に形成され第一の導電型であるドリフト層２と、ドリフト層２の表面に形成され第二の導電型である第一のウェル領域３と、ドリフト層２の表面に形成され第二の導電型である第二のウェル領域４と、ドリフト層２の表面上に形成され第一のウェル領域３及び第二のウェル領域４にチャネルを形成するゲート構造７、８、９とを備え、第一のウェル領域３に形成されるチャネルのチャネル抵抗は温度が上昇するにつれて減少する温度特性であり、第二のウェル領域４に形成されるチャネルのチャネル抵抗は温度が上昇するにつれて増加する温度特性である半導体装置１００とする。 |
