| 摘要 |
【課題】 裏面を研削することなく表面に複数のデバイスを有するＳｉＣ基板からなるウエーハを所定厚みに薄化可能なウエーハの薄化方法を提供することである。【解決手段】 ＳｉＣ基板の第一の面に複数のデバイスが形成されたウエーハを薄化するウエーハの薄化方法であって、ＳｉＣ基板に対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を第二の面からＳｉＣ基板の第一の面近傍に位置付けると共に、集光点とＳｉＣ基板とを相対的に移動してレーザービームを該第二の面に照射し、該第一の面に平行な改質層及びクラックとを形成して分離起点とする分離起点形成ステップと、該分離起点形成ステップを実施した後、外力を付与して該分離起点から該第二の面を有するウエーハを複数のデバイスが形成された該第一の面を有するウエーハから分離して、該第一の面を有するウエーハを薄化するウエーハ薄化ステップとを含む。【選択図】図１１ |
