| 摘要 |
【課題】酸化物半導体を有するトランジスタにおいて、電気特性の変動を抑制することで、信頼性を向上させる。【解決手段】トランジスタを有する半導体装置であって、トランジスタは、第１の絶縁膜上の第１の酸化物半導体膜と、第１の酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の第２の酸化物半導体膜と、第１の酸化物半導体膜、及び第２の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、を有し、第１の酸化物半導体膜は、ゲート絶縁膜と接するチャネル領域と、第２の絶縁膜と接するソース領域と、第２の絶縁膜と接するドレイン領域と、を有し、第２の酸化物半導体膜は、第１の酸化物半導体膜よりもキャリア密度が高い。【選択図】図１ |
