薄膜トランジスタ

摘要

ソース電極５０及びドレイン電極６０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、保護絶縁膜７０と、チャネル層４０と、を有し、チャネル層４０は、ゲート絶縁膜３０と保護絶縁膜７０の間に位置し、広がり抵抗値の低い領域４２と広がり抵抗値の高い領域４４を有する、薄膜トランジスタ１。