| 摘要 |
【課題】光電変換層に欠陥が生じ難く、しかも、画素間混色が発生し難い撮像装置を提供する。【解決手段】撮像装置にあっては、複数の受光素子１０が２次元マトリクス状に配列されており、各受光素子１０は、第１電極３１、光電変換層２０及び第２電極３２から成り、光電変換層２０は、第１電極側から、第１導電型を有する第１化合物半導体層２１、及び、第１導電型とは逆の導電型である第２導電型を有する第２化合物半導体層２２が積層された積層構造を有しており、受光素子１０と受光素子１０との間の領域１１における第２化合物半導体層は除去されており、第１電極３１及び第１化合物半導体層２１は、受光素子間で共通であり、第１電極近傍における第１化合物半導体層２１Ａの不純物濃度は、第２化合物半導体層近傍における第１化合物半導体層２１Ｂの不純物濃度よりも低い。【選択図】 図１ |
