| 摘要 |
【課題】寄生容量を低減した半導体装置を提供する。【解決手段】第１絶縁層上に第１酸化物絶縁層及び第１酸化物半導体層を順に成膜し、第１酸化物絶縁層及び第１酸化物半導体層を島状にエッチングすることにより、第２酸化物絶縁層及び第２酸化物半導体層を形成し、第２酸化物半導体層及び第１絶縁層上に第３酸化物絶縁層を成膜し、第３酸化物絶縁層上に第２絶縁層を成膜し、第２絶縁層上に第１導電層を成膜し、第１導電層及び第２絶縁層に対してエッチングすることにより、ゲート電極層及びゲート絶縁層を形成し、ゲート電極層をマスクとして第２酸化物半導体層に対して第１イオン添加することにより第１低抵抗領域を形成し、ゲート電極層、第３酸化物絶縁層、及び第１絶縁層上に側壁絶縁層を形成し、ゲート電極層、側壁絶縁層、第３酸化物絶縁層、及び第１絶縁層上に第２導電層を成膜し、加熱処理により第２酸化物半導体層中に合金化した領域を形成する。【選択図】図１ |
