| 摘要 |
ＥＳＤ保護デバイス（１）は、Ｓｉ基板（１０）と再配線層（２０）とを備える。再配線層（２０）のＴｉ／Ｃｕ／Ｔｉ電極（２３Ａ，２３Ｂ）は、コンタクトホール（２２Ａ，２２Ｂ）を介し、Ｓｉ基板（１０）の表面に形成されたＡｌ電極膜（１１１〜１１３，１２１，１３１）を有するＥＳＤ保護回路と導通している。Ａｌ電極膜（１２１）はＴｉ／Ｃｕ／Ｔｉ電極（２３Ａ）、Ａｌ電極膜（１３１）はＴｉ／Ｃｕ／Ｔｉ電極（２３Ｂ）に導通する。Ａｌ電極膜（１１１，１２１）間にはダイオード形成領域（１４１）が、Ａｌ電極膜（１１２，１３１）間にはダイオード形成領域（１４４）が形成される。Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ電極（２４Ａ）はダイオード形成領域（１４４）に重ならず、Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ電極（２４Ｂ）はダイオード形成領域（１４１）に重ならない。これにより、寄生容量の発生を軽減でき、より高周波帯域まで適用できる半導体装置を提供する。 |
