| 摘要 |
본 발명은 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법에 관한 것으로, 다수의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이, 상기 메모리 셀 어레이에 대한 프로그램 전압 인가 동작 및 검증 동작을 수행하기 위한 주변 회로부, 및 상기 프로그램 전압 인가 동작시 상기 다수의 메모리 셀들 중 선택된 메모리 셀들에 스텝 전압만큼 점차 상승하는 프로그램 전압을 인가하도록 상기 주변 회로부를 제어하기 위한 제어 로직을 포함하며, 상기 스텝 전압은 상기 프로그램 전압 인가 동작이 반복될수록 점차 증가한다. |
