| 摘要 |
【課題】異物の発生を抑制できるウエーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウエーハの加工方法は、ＩｎＰからなる基板の表面に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスおよびバンプが形成されたウエーハをストリートに沿ってレーザー加工する方法である。ウエーハの加工方法は、ウエーハを保持する工程ＳＴ１と、ウエーハ表面に水溶性保護膜を形成する保護膜形成工程ＳＴ２と、ストリートに沿ってウエーハにレーザー光を照射するレーザー光照射工程ＳＴ３と、レーザー光を照射した後ウエーハを洗浄して保護膜を除去する洗浄工程ＳＴ４と、洗浄工程ＳＴ４後にレーザー光照射工程ＳＴ３によりレーザー加工部に生成したリンを含む反応生成物が気化して空気中の水分と反応してバンプ上にリンを含む異物が生成し、洗浄工程ＳＴ４後であって所定時間経過後に異物を除去する異物除去工程ＳＴ６と、を備える。【選択図】図５ |
