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发明名称
レジストパターン形成方法
摘要
本発明のレジストパターン形成方法は、基板11にレジスト層12を形成するレジスト層形成ステップS101と、活性化エネルギービームの照射によって前記レジスト層を活性化する活性化ステップS103と、前記レジスト層の活性の減衰を抑制する減衰抑制ステップS105と、潜像形成エネルギービームの照射によって、前記活性化されたレジスト層にパターン潜像を形成するパターン潜像形成ステップS107と、前記レジスト層を現像する現像ステップS110とを含有する。
申请公布号
JPWO2014129556(A1)
申请公布日期
2017.02.02
申请号
JP20150501504
申请日期
2014.02.20
申请人
国立大学法人大阪大学
发明人
田川 精一;大島 明博
分类号
G03F7/20;G03F7/039
主分类号
G03F7/20
代理机构
代理人
主权项
地址
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