发明名称 レジストパターン形成方法
摘要 本発明のレジストパターン形成方法は、基板11にレジスト層12を形成するレジスト層形成ステップS101と、活性化エネルギービームの照射によって前記レジスト層を活性化する活性化ステップS103と、前記レジスト層の活性の減衰を抑制する減衰抑制ステップS105と、潜像形成エネルギービームの照射によって、前記活性化されたレジスト層にパターン潜像を形成するパターン潜像形成ステップS107と、前記レジスト層を現像する現像ステップS110とを含有する。
申请公布号 JPWO2014129556(A1) 申请公布日期 2017.02.02
申请号 JP20150501504 申请日期 2014.02.20
申请人 国立大学法人大阪大学 发明人 田川 精一;大島 明博
分类号 G03F7/20;G03F7/039 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
主权项
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