| 摘要 |
【課題】ドーパントガスを供給する工程の時間条件を設定することが容易なエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】エピタキシャルウェーハの製造方法は、作製工程と測定工程と設定工程を備える。作製工程は、ドーパントガスの濃度を連続的に減少させながら供給する第１供給工程と、第１供給工程後に第１供給工程の終了時点でのドーパントガスの濃度でドーパントガスを供給する第２供給工程を含む。作製工程は、第１及び第２供給工程を含み、基板にエピタキシャル層を成長させた試料を作製する。測定工程は、試料の抵抗率プロファイルを測定する。設定工程は、抵抗率プロファイルと、目標プロファイルとのずれに基づき第２供給工程を実施する時間を設定する。設定工程は、抵抗率プロファイルの傾斜領域でエピタキシャル層の表面側の深さＡと、深さＡの抵抗率に一致する目標プロファイルの抵抗率に対応する深さＣとの差Ｄをエピタキシャル層の成長速度で除法した値を第２供給工程の時間にする。【選択図】図４ |
