| 摘要 |
본 발명은 질화물 반도체 기판 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 화학 기상 식각에 의한 공극 및 열응력 차이를 이용하여 질화물 반도체 기판을 예비 기판으로부터 자발적으로 분리(self-separation)되도록 하여 저결함 질화물 반도체 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다. 저결함 질화문 반도체 기판 제조 방법으로서, 예비 기판의 상부에 질화물 반도체 템플레이트층을 형성시키는 단계; 상기 예비 기판 및 상기 질화물 반도체 템플레이트층을 화학 기상 식각하여, 상기 예비 기판과 상기 질화물 반도체 템플레이트층의 계면에 공극(void)을 형성시키는 단계; 상기 질화물 반도체 템플레이트층 상부에 질화물 반도체를 재성장시켜 상기 질화물 반도체 템플레이트층을 포함하는 질화물 반도체 기판을 형성시키는 단계; 상기 예비 기판과 상기 질화물 반도체 기판이 열응력 차이에 의하여 상기 예비 기판과 상기 질화물 반도체 기판이 자가 분리(self-separation)되는 단계;를 포함할 수 있다. 나아가, 상기 각 단계는 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)를 이용하여 인시추(in-situ) 방식으로 수행되는 방법을 개시한다. |
