| 摘要 |
【課題】発振閾値電流密度を小さく抑えつつ高い発振出力を実現できる磁気抵抗効果デバイスを提供する。【解決手段】磁気抵抗効果デバイス１００は、第１の磁化自由層２ａ、第１の磁化固定層２ｃおよび第１のスペーサー層２ｂを有する第１の磁気抵抗効果素子２と、第２の磁化自由層７ａ、第２の磁化固定層７ｃおよび第２のスペーサー層７ｂを有する第２の磁気抵抗効果素子７と、第１の磁化自由層２ａと第２の磁化自由層７ａに外部磁場を印加する磁場印加機構３とを有する。第１の磁化自由層２ａと第２の磁化自由層７ａは、磁気的に結合しており、第１の磁化固定層２ｃの磁化方向と第１の磁化自由層２ａに印加される外部磁場の方向のなす角度よりも、第２の磁化固定層７ｃの磁化方向と第２の磁化自由層７ａに印加される外部磁場の方向のなす角度が大きく、第１の磁気抵抗効果素子２には、発振閾値電流密度以上の電流密度を有する電流が印加される。【選択図】図１ |
