发明名称 |
半導体装置、該半導体装置を有する表示装置 |
摘要 |
【課題】酸化物半導体を有するトランジスタにおいて、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させる。【解決手段】トランジスタは、第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上の金属酸化膜と、金属酸化膜上のゲート電極と、酸化物半導体膜、及びゲート電極上の第3の絶縁膜と、を有し、酸化物半導体膜は、ゲート電極と重なるチャネル領域と、第3の絶縁膜と接するソース領域と、第3の絶縁膜と接するドレイン領域と、を有し、ソース領域及びドレイン領域は、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、塩素、チタン、または希ガスの1以上を有する。【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2017028288(A) |
申请公布日期 |
2017.02.02 |
申请号 |
JP20160144064 |
申请日期 |
2016.07.22 |
申请人 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
发明人 |
山崎 舜平;岡崎 健一;肥塚 純一;中山 智則;中島 基 |
分类号 |
H01L29/786;C23C14/08;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336;H01L21/8242;H01L27/108;H01L51/50;H05B33/14 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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