发明名称 半導体装置、該半導体装置を有する表示装置
摘要 【課題】酸化物半導体を有するトランジスタにおいて、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させる。【解決手段】トランジスタは、第1の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上の金属酸化膜と、金属酸化膜上のゲート電極と、酸化物半導体膜、及びゲート電極上の第3の絶縁膜と、を有し、酸化物半導体膜は、ゲート電極と重なるチャネル領域と、第3の絶縁膜と接するソース領域と、第3の絶縁膜と接するドレイン領域と、を有し、ソース領域及びドレイン領域は、水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、塩素、チタン、または希ガスの1以上を有する。【選択図】図1
申请公布号 JP2017028288(A) 申请公布日期 2017.02.02
申请号 JP20160144064 申请日期 2016.07.22
申请人 株式会社半導体エネルギー研究所 发明人 山崎 舜平;岡崎 健一;肥塚 純一;中山 智則;中島 基
分类号 H01L29/786;C23C14/08;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336;H01L21/8242;H01L27/108;H01L51/50;H05B33/14 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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