| 摘要 |
【課題】接合工程を簡単化できると共に、半導体レーザ素子からヒートシンクへの放熱性を向上できる半導体レーザ装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザ装置１は、ヒートシンク２と、ヒートシンク２の一面側に設けられ、表面に導体パターン８が形成された伝熱性の絶縁基板３と、絶縁基板３の一面側に設けられ、半導体レーザバー４がサブマウント５に搭載されたレーザユニット６を絶縁基板３の面内方向に積層してなる積層構造体７と、レーザユニット６，６同士、及びサブマウント５の他端側と導体パターン８とを接合する第１のハンダ層１０Ａと、ヒートシンク２と絶縁基板３とを接合する第２のハンダ層１０Ｂと、を備え、第１のハンダ層１０Ａは、第２のハンダ層１０Ｂを構成するハンダよりも高融点のハンダによって構成され、少なくともサブマウント５の一端側から他端側まで延在している。【選択図】図１ |
