| 发明名称 |
ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層付き半導体基板の製造方法、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子 |
| 摘要 |
【課題】シート抵抗のバラつきが抑制されたｎ型拡散層を形成することができるｎ型拡散層形成組成物、これを用いたｎ型拡散層付き半導体基板の形成方法、並びにこれを用いた太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子の提供。【解決手段】ドナー元素とＴｅ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｖ及びＢｉからなる群より選択される少なくとも１種を含むガラス粒子と、分散媒と、を含むｎ型拡散層形成組成物。【選択図】なし |
| 申请公布号 |
JP2017028122(A) |
申请公布日期 |
2017.02.02 |
| 申请号 |
JP20150145772 |
申请日期 |
2015.07.23 |
| 申请人 |
日立化成株式会社 |
发明人 |
岩室 光則;野尻 剛;田中 直敬;倉田 靖;織田 明博;清水 麻理;佐藤 鉄也 |
| 分类号 |
H01L21/225;H01L31/068;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L21/225 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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