| 摘要 |
Ｓｉを構成成分とする層を有する半導体基板上から白金及び／又は白金合金を除去する半導体基板の洗浄方法であって、Ａｌやシリサイド膜、Ｓｉ系絶縁膜、Ｓｉ系基板などを損傷することなく効果的に洗浄を行うことを可能にする。Ｓｉを構成成分とする層を有する半導体基板上から白金及び／又は白金合金を除去する半導体基板の洗浄方法であって、前記半導体基板に、硝酸及び／又は過酸化水素を主とする溶質として含む第１溶液を接触させて洗浄する第１洗浄工程と、第１洗浄工程を経た前記半導体基板に、酸化剤を含む硫酸溶液とハロゲン化物とを含み、温度が２５〜１００℃である第２溶液を接触させて洗浄する第２洗浄工程と、を有する。 |
