半導体装置

摘要

【課題】逆回復耐量を向上するダイオード素子を提供する。【解決手段】半導体装置３１は、第１導電型のドリフト層１と、ドリフト層１の上部に設けられた第２導電型のアノード領域３と、ドリフト層１の上に設けられた絶縁膜１０と、絶縁膜１０を貫通するコンタクト孔１１を通してアノード領域３とオーミック接続されたオーミック接続部分１２ａを有するアノード電極１２と、アノード領域３の周辺部にショットキー接合されたショットキー電極８とを備える。【選択図】図３