| 摘要 |
본 발명은 전자 디바이스(9)에 관한 것이고, 그러한 전자 디바이스(9)는, 제어 전극(111), 및 제 1 및 제 2 전도성 전극들(112, 113)을 포함하는 정상 개방형 전력 전계 효과 트랜지스터(11); 제어 전극에 연결된 저항성 컴포넌트(211)를 포함하는 제어 회로(21) ― 제어 회로는, 저항성 컴포넌트를 통해, 제어 전극에 트랜지스터의 차단 전위를 인가하도록 구성되고, 상기 차단 전위는 제 1 및 제 2 전도성 전극들의 전위들보다 더 낮음 ―; 및 제 1 및 제 2 전도성 전극들 사이의 단락을 검출하기 위한 검출 회로(31)를 포함하며, 그러한 검출 회로(31)는, 트랜지스터의 차단 동안에 제어 전극의 전위를 측정하고, 측정된 전위를 기준 전위와 비교하고, 비교의 결과에 따라 고장 신호를 생성하도록 구성된다. |
