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Halbleitereinheit, die Folgendes umfasst: eine erste Schicht 105 eines vergrabenen Oxids (BOX) auf einem Siliciumsubstrat 106 und eine Rückgate-Metallschicht 103, die auf der Oberseite des BOX von einer oberen Schicht 102 und einer unteren Schicht 104 aus dünnem Nitrid umgeben ist; ein dünnes zweites BOX 101 auf der oberen dünnen Nitridschicht und eine darauf angeordnete dünne SOI-Schicht 100, wobei die zweite BOX-Schicht, die obere dünne Nitridschicht und die dünne SOI-Schicht an ein Abstandselement 150 angrenzen; und einen FET, der über einen Gate-Stapel auf der Oberseite der dünnen SOI-Schicht 131, 132, 133 verfügt, wobei der Gate-Stapel eine dielektrische Schicht 131 an der Grundfläche des Gate-Stapels aufweist, wobei die SOI-Schicht einen vertieften Kanal zu dem FET bereitstellt. |
