| 摘要 |
【課題】転位密度の分布が実質的に均一なGaN結晶から成るGaN基板を、複雑な工程を用いることなく簡単に低コストで、且つ高歩留まりで製造できる技術を提供する。【解決手段】単結晶基板の内部にレーザを照射して、単結晶基板の内部にアモルファス部分を形成し、次に、単結晶基板の片面にGaN結晶を形成してGaN基板を作製する。作製されたGaN基板の表面の全面に亘る転位密度の分布は、実質的に均一である。アモルファス部分は単結晶基板の平面方向に対して直線状の複数のパターンで設けられ、各パターン間のピッチが0.5ｍｍの場合は、単結晶基板の体積に対してアモルファス部分の総体積が占める体積比は0.10%又は0.20%であり、各パターン間のピッチが1.0ｍｍの場合は、単結晶基板の体積に対してアモルファス部分の総体積が占める体積比は0.05%又は0.10%である。【選択図】図３ |
