ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体エピタキシャルウエハ、当該エピタキシャルウエハを含むデバイス及びその製造方法

摘要

基板（１０１）と、エピタキシャルバッファ層（１０２）と、複数の半導体媒質突起（１０７）と、エピタキシャルトランジション層（１０８）と、下から上に向けてｎ型エピタキシャル層（１０９）、発光層（１１０）及びｐ型エピタキシャル層（１１１）を含むエピタキシャル有効層と、を含むIII−Ｖ族窒化物半導体エピタキシャルウエハ、当該エピタキシャルウエハを含むデバイス及びその製造方法を提供する。前記エピタキシャルウエハによれば、例えば転位密度を低下させるというように、結晶品質を効果的に高めることが可能である。また、半導体デバイスにおける各種性能指標、特に、発光効率、リーク電流及び静電破壊性等の改善が可能である。前記製造方法は工程が簡単であり、製造コストの削減に有利である。