NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

본 발명은 질화물 반도체 물질 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 물질은 붕소, 갈륨 및 질소를 포함하고, 붕소 및 갈륨의 조성에 따라 자외선 영역의 밴드갭 에너지를 조절하는 육방정 질화붕소갈륨을 포함한다.