Verfahren zur Herstellung eines Splitgate-Leistungsbauelements

摘要

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Technik zur Herstellung von Halbleiter-Leistungsbauelementen, insbesondere auf ein Verfahren zur Herstellung eines Splitgate-Leistungsbauelements. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines Splitgate-Leistungsbauelements wird während der Erzeugung einer Steuergate-Kerbe durch Ätzen durch einen zusätzlichen quergerichteten Ätzvorgang eine unterhalb eines ersten Isolierfilms befindliche querlaufende Einbuchtung der Steuergate-Kerbe erzeugt wird. Dadurch kann erreicht werden, dass nach dem Abscheiden eines ersten elektrisch leitfähigen Films dieser unmittelbar mittels des ersten Isolierfilms als Maske so geätzt wird, dass ein Steuergate entsteht. Mit der Erfindung wird ein vereinfachter, zuverlässiger, leicht steuerbarer Prozessablauf ermöglicht, was zur erheblichen Erhöhung der Produktausbeute von Splitgate-Leistungsbauelementen beiträgt. Die Erfindung eignet sich insbesondere zur Herstellung von 25 V–200 V Halbleiter-Leistungsbauelementen.