エピタキシャル成長による半導体デバイスの製作

摘要

【課題】エピタキシャル成長による半導体デバイスの製作を提供する。【解決手段】表面を有する半導体基板４を提供することと、表面と垂直な鉛直方向に沿って、表面の上に裏側エミッタ層１２５をエピタキシャル成長させることであって、裏側エミッタ層は、第１の導電型のドーパント、または第１の導電型と相補的な第２の導電型のドーパントを有する。鉛直方向に沿って、裏側エミッタ層の上方に第１の導電型のドーパントを有するドリフト層１２３をエピタキシャル成長させる。ドリフト層内またはその上のいずれかに、第２の導電型のドーパントを有する本体領域１２４を作製することであって、本体領域とドリフト層との間の移行部はｐｎ接合を形成する。ドリフト層をエピタキシャル成長させることは、ドリフト層内に、鉛直方向に沿った第１の導電型のドーパントのドーパント濃度プロファイルを作り出す。【選択図】図４Ａ