吸熱素子及びそれを備えた半導体装置並びに吸熱素子の製造方法

摘要

【課題】半導体素子の上に形成される薄膜状の吸熱素子において、半導体素子と吸熱素子との間の熱抵抗を低減できるようにすると共に、その製造方法を確立する。【解決手段】半導体素子本体部１０の表面と電気絶縁体である熱伝導層１５を介して熱的に接続されたペルチェ型で薄膜状の吸熱素子部２０は、該吸熱素子部２０を構成する物質における、バルクでの熱伝導率は５０Ｗ／ｍＫ以上であり、ゼーベック係数は３００μＶ／Ｋ以上である。【選択図】図１