发明名称 半導体装置
摘要 【課題】新規な不揮発性のラッチ回路及びそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】第1の素子の出力が第2の素子の入力に電気的に接続され、第2の素子の出力が第1の素子の入力に電気的に接続されるループ構造を有するラッチ部と、ラッチ部のデータを保持するデータ保持部とを有し、このラッチ部とデータ保持部とにより不揮発性のラッチ回路が構成される。データ保持部は、チャネル形成領域を構成する半導体材料として酸化物半導体を用いたトランジスタをスイッチング素子として用いている。またこのトランジスタのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続された容量を有している。【選択図】図1
申请公布号 JP2017028321(A) 申请公布日期 2017.02.02
申请号 JP20160206889 申请日期 2016.10.21
申请人 株式会社半導体エネルギー研究所 发明人 加藤 清;小山 潤
分类号 H01L29/786;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/08;H01L27/088;H01L27/10;H01L27/108;H03K3/356 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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