发明名称 半導体装置
摘要 【課題】 半導体積層体と発光部が設けられている半導体装置において、電極間の絶縁の確保を容易にすることができる。【解決手段】 半導体装置100は、2次元電子ガス層をチャネルとして動作する。半導体装置100は、基板110、半導体積層体115、第1電極128及び第2電極132を備える。半導体積層体は、基板110の第1主面110a側に設けられており、基板110の第1主面110aの第1範囲J1に対応して配置されており、2次元電子ガス層を発生可能に構成されている。第1電極128は、基板110の第1主面110a側に設けられており、基板110の第1主面110aの第1範囲J1とは異なる第2範囲J2に対応して配置されている。第2電極132は、基板110の第2主面110b側に設けられている。半導体装置100では、第1電極128と第2電極132の間を流れる電流を利用して発光する発光部133が構成されている。【選択図】 図1
申请公布号 JP2017028008(A) 申请公布日期 2017.02.02
申请号 JP20150142840 申请日期 2015.07.17
申请人 株式会社豊田中央研究所 发明人 勝野 高志
分类号 H01L33/02;H01L21/337;H01L21/338;H01L21/8232;H01L27/06;H01L27/095;H01L27/098;H01L29/778;H01L29/808;H01L29/812;H01L33/26 主分类号 H01L33/02
代理机构 代理人
主权项
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