发明名称 3 Interconnection structure for three-dimensional semiconductor device
摘要 3차원 반도체 장치의 배선 구조가 제공된다. 3차원 반도체 장치는 3차원 반도체 장치는 기판 상에 2차원적으로 배열된 적층 구조체들, 제 1 배선들을 포함하면서 상기 적층 구조체들의 상부에 배치되는 제 1 배선층 및 제 2 배선들을 포함하면서 상기 제 1 배선층의 상부에 배치되는 제 2 배선층을 포함하되, 적층 구조체들 각각은 차례로 적층된 복수의 하부 워드라인들을 포함하는 하부 구조체 및 차례로 적층된 복수의 상부 워드라인들을 포함하면서 하부 구조체의 상부에 배치되는 상부 구조체를 포함하고, 제 1 배선들 각각은 하부 워드라인들 중의 하나에 연결되고, 제 2 배선들 각각은 상부 워드라인들 중의 하나에 연결된다.
申请公布号 KR101702060(B1) 申请公布日期 2017.02.02
申请号 KR20100015306 申请日期 2010.02.19
申请人 삼성전자주식회사 发明人 김두곤;채동혁
分类号 H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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