| 摘要 |
【課題】向上した信頼性および／または耐久性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１００は、垂直方向電気素子配置の複数の補償領域１１０と、垂直方向電気素子配置の複数のドリフト領域１２０と、空乏化不可能ドーピング領域１３０とを含む。複数の補償領域のいくつかは、半導体装置の半導体基板中に配置される。さらに、垂直方向電気素子配置の複数のドリフト領域は、半導体装置のセル領域１０２内の半導体基板中に配置される。複数のドリフト領域と複数の補償領域は横方向に交互に配置される。空乏化不可能ドーピング領域は、セル領域の端から半導体基板の端１０４に向かって横方向に延びる。空乏化不可能ドーピング領域は遮断動作中に半導体装置へ印可される電圧により空乏化されないドーピングを有する。【選択図】図１ |
