ビット復元システム

摘要

特定のデバイスが、抵抗性メモリデバイス、タグランダムアクセスメモリ(RAM)、およびビット復元(BR)メモリを含む。抵抗性メモリデバイスは、データ値およびデータ値に関連付けられた誤り訂正コード(ECC)データを記憶するように構成される。タグRAMは、メインメモリのメモリアドレスをキャッシュメモリのワード線にマップする情報を記憶するように構成され、キャッシュメモリは抵抗性メモリデバイスを含む。BRメモリは、データ値に関連付けられた追加誤り訂正データを記憶するように構成され、BRメモリは揮発性メモリデバイスに対応する。