| 摘要 |
【課題】任意の処理条件において、半導体ウエハの周方向における処理ガスの圧力および流速の偏りを抑制する。【解決手段】プラズマ処理装置１０は、チャンバ１と、載置台２と、排気路７１と、排気装置７３と、バッフル板１８と、整流板１９とを備える。排気路７１は、載置台２を囲むように載置台２の周囲に設けられ、載置台２に載置された半導体ウエハＷの上方の処理空間Ｓ内のガスを排気する。排気装置７３は、排気路７１を介して処理空間Ｓ内のガスを排気する。バッフル板１８は、複数の貫通孔を有し、載置台２を囲むように処理空間Ｓと排気路７１との間に設けられる。整流板１９は、バッフル板１８よりも処理空間Ｓから遠い位置の排気路７１内に、載置台２を囲むように載置台２の周囲に設けられ、排気装置７３が接続された排気路７１内の位置から離れるほど、排気路７１の流路の断面積が大きくなる開口を排気路７１内に形成する。【選択図】図１ |
