发明名称 |
化合物、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法 |
摘要 |
本発明のリソグラフィー用下層膜形成材料は、下記一般式(1)で表される構造を有する化合物を含有する。【化1】(式(1)中、Xは、各々独立して、酸素原子又は硫黄原子であり、R1は、単結合又は炭素数1〜30の2n価の炭化水素基であり、該炭化水素基は、環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子又は炭素数6〜30の芳香族基を有していてもよく、R2は、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数2〜10のアルケニル基又は水酸基であり、mは、0〜3の整数であり、nは、1〜4の整数であり、pは、0又は1であり、qは、1〜100の整数である。) |
申请公布号 |
JPWO2014123107(A1) |
申请公布日期 |
2017.02.02 |
申请号 |
JP20140560765 |
申请日期 |
2014.02.04 |
申请人 |
三菱瓦斯化学株式会社 |
发明人 |
越後 雅敏;牧野嶋 高史;内山 直哉 |
分类号 |
G03F7/11;C07D493/04;C07D493/14;C08G8/20;C08G10/02;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F7/11 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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