发明名称 不揮発性カウンタ回路、メモリ制御方法及びプログラム
摘要 【課題】強誘電体メモリの劣化を抑制する。【解決手段】カウンタ部2は、計数値の更新を指示する入力信号を受けるたびに、少なくとも(n−1)(n>2)ビット分の値が変化する、計数値を示すnビットの第1のコード(反転グレイコード)を生成する。強誘電体メモリ(FeRAM)3は、第1のコードを記憶する。これにより、強誘電体メモリ3の分極方向の焼き付き(インプリント)が抑制され、強誘電体メモリ3の劣化を抑制できる。【選択図】図1
申请公布号 JP2017028409(A) 申请公布日期 2017.02.02
申请号 JP20150143370 申请日期 2015.07.17
申请人 富士通セミコンダクター株式会社 发明人 川嶋 将一郎;小粥 光洋;平山 智久;鈴木 健太郎
分类号 H03K21/00;G11C11/22 主分类号 H03K21/00
代理机构 代理人
主权项
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