发明名称 |
不揮発性カウンタ回路、メモリ制御方法及びプログラム |
摘要 |
【課題】強誘電体メモリの劣化を抑制する。【解決手段】カウンタ部2は、計数値の更新を指示する入力信号を受けるたびに、少なくとも(n−1)(n>2)ビット分の値が変化する、計数値を示すnビットの第1のコード(反転グレイコード)を生成する。強誘電体メモリ(FeRAM)3は、第1のコードを記憶する。これにより、強誘電体メモリ3の分極方向の焼き付き(インプリント)が抑制され、強誘電体メモリ3の劣化を抑制できる。【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2017028409(A) |
申请公布日期 |
2017.02.02 |
申请号 |
JP20150143370 |
申请日期 |
2015.07.17 |
申请人 |
富士通セミコンダクター株式会社 |
发明人 |
川嶋 将一郎;小粥 光洋;平山 智久;鈴木 健太郎 |
分类号 |
H03K21/00;G11C11/22 |
主分类号 |
H03K21/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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