| 摘要 |
Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements und ein Halbleiterbauelement werden bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet das Bereitstellen eines Waferstapels (40), der einen Trägerwafer (20), der Graphit aufweist, und einen Bauelementwafer (1, 2) aufweist, der ein Halbleitermaterial mit breiter Bandlücke aufweist und eine erste Seite (21) und eine zweite Seite (22) gegenüber der ersten Seite (21) aufweist, wobei die zweite Seite (22) an dem Trägerwafer (20) befestigt ist, Definieren von Bauelementregionen (D) des Waferstapels (40), teilweises Entfernen des Trägerwafers (20), sodass Öffnungen (25) in dem Trägerwafer (20) gebildet werden, die in jeweiligen Bauelementregionen (D) angeordnet sind, und sodass der Bauelementwafer (1, 2) von einem Rest (20') des Trägerwafers (20) gestützt wird; und Weiterbearbeiten des Bauelementwafers (1, 2), während der Bauelementwafer (1, 2) von dem Rest (20') des Trägerwafers (20) gestützt bleibt. |
