| 摘要 |
【課題】III族窒化物半導体の露出面を選択的にエッチングする新たな技術を提供する。【解決手段】単結晶III族窒化物半導体の＋ｃ極性半極性面又は無極性面が露出した第１の領域の中に、単結晶III族窒化物半導体のその他の面又は多結晶III族窒化物半導体が露出した第２の領域が混在した露出面を有するIII族窒化物半導体層を備えたIII族窒化物半導体基板を準備する準備工程Ｓ１０と、露出面に対して、エッチング温度：５００℃以上１２００℃以下、エッチングガス：ＨＣｌ、ＮＨ３、Ｃｌ２、Ｈ２の中のいずれか１つ以上、の条件でエッチングを行い、第２の領域を選択的に凹ませるエッチング工程Ｓ２０と、を有するIII族窒化物半導体基板の製造方法。【選択図】図１ |
