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Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Halbleitervorrichtung (100c) enthalten: mindestens eine erste Kontaktinsel (104) auf einer Vorderseite (100f) der Halbleitervorrichtung (100c); mindestens eine zweite Kontaktinsel (114) auf der Vorderseite (100f) der Halbleitervorrichtung (100c); einen Schichtstapel, der mindestens teilweise über der mindestens einen ersten Kontaktinsel (104) angeordnet ist, wobei die mindestens eine zweite Kontaktinsel (114) mindestens teilweise frei von dem Schichtstapel ist; wobei der Schichtstapel mindestens eine Adhäsionsschicht (102a) und eine Metallisierungsschicht (102m) enthält; und wobei die Metallisierungsschicht (102m) eine Metalllegierung enthält, und wobei die Adhäsionsschicht (102a) zwischen der Metallisierungsschicht (102m) und der mindestens einen ersten Kontaktinsel (104) angeordnet ist, um die Metalllegierung der Metallisierungsschicht (102m) an der mindestens einen ersten Kontaktinsel (104) anzuhaften. |
