Feldeffekttransistor mit mehreren Schwellenspannungen und Herstellungsverfahren dafür

摘要

Die vorliegende Offenbarung stellt eine FET-Struktur bereit, die einen Transistor eines ersten Leitfähigkeitstyps umfasst. Der Transistor umfasst ein Substrat, das ein Gebiet eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, einen Kanal zwischen Source und Drain und ein Gate über dem Kanal. Der Kanal umfasst Dotierstoffe des ersten Leitfähigkeitstyps. Das Gate umfasst eine Arbeitsfunktionseinstellungsschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps. Die vorliegende Offenbarung stellt auch ein Verfahren zum Herstellen eines FET mit einem Schema mit mehreren Schwellenspannungen bereit. Das Verfahren umfasst das Freilegen von Kanälen eines ersten Transistors eines ersten Leitfähigkeitstyps und eines ersten Transistors eines zweiten Leitfähigkeitstyps von einer ersten Maske, das Dotieren der Kanäle mit Dotierstoffen des ersten Leitfähigkeitstyps, das Freilegen von Kanälen eines zweiten Transistors des ersten Leitfähigkeitstyps und eines zweiten Leitfähigkeitstyps von einer zweiten Maske und das Dotieren der Kanäle mit Dotierstoffen des zweiten Leitfähigkeitstyps.