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Ein Quantenkaskadenlaser 1A ist mit einem Halbleitersubstrat 10 und einer aktive Schicht 15 ausgebildet, die auf einer ersten Oberfläche 10a des Substrats vorgesehen ist und eine Kaskadenstruktur in Form einer mehrstufigen Laminierung von Laminatstruktureinheiten 16 umfasst, von denen jede eine Emissionsschicht und eine Injektionsschicht umfasst. Die aktive Schicht 15 ist derart ausgebildet, dass sie ein erstes Pumplicht mit einer ersten Frequenz ω1 und ein zweites Pumplicht mit einer zweiten Frequenz ω2 durch Intersubband-Emissionsübergänge von Elektronen erzeugt, und dass sie Ausgangslicht einer Differenzfrequenz ω durch Differenzfrequenzerzeugung von dem ersten Pumplicht und dem zweiten Pumplicht erzeugt. Kerben 12, die jeweils in einer Richtung, die sich mit einer Resonanzrichtung in einer Laserhohlraumstruktur schneidet, ausgebildet sind, sind auf einer zweiten Oberfläche 10b gegenüber zur ersten Oberfläche des Substrats vorgesehen. Auf diese Weise wird der Quantenkaskadenlaser realisiert, der geeignet ist, ein durch die Differenzfrequenzerzeugung erzeugtes Licht auszugeben. |
