| 摘要 |
半導体基板の表面側から順に第１導電型の第１領域と第２導電型の第２領域と第１導電型の第３領域が積層されており、第１領域と第２領域を貫通して第３領域に達するトレンチゲート電極が形成されており、半導体基板の表面に表面電極が形成されており、トレンチゲート電極の表面を覆う絶縁領域によって表面電極とトレンチゲート電極を絶縁する半導体装置が知られている。トレンチゲート電極の表面を覆って表面電極とトレンチゲート電極を絶縁する絶縁領域をトレンチの内部に留める。表面電極は、段差のない半導体基板の表面に形成され、均一に広がる。表面電極に応力集中箇所が形成されず、表面電極の強度と信頼性が向上する。 |
