半導体装置用ボンディングワイヤ

摘要

【課題】Ｐｄめっきリードフレームでの２ｎｄ接合性をさらに改善するとともに、高湿加熱条件においても優れたボール接合性を実現することのできるボンディングワイヤを提供する。【解決手段】Ｃｕを主成分とし、元素周期表第１０族の金属元素を総計で０．１〜３．０質量％含有する芯材と、該芯材表面に設けられたＰｄを主成分とする被覆層と、該被覆層表面に設けられたＡｕとＰｄを含む表皮合金層とを含む半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、ワイヤ最表面におけるＣｕ濃度が１〜１０ａｔ％であることを特徴とする。【選択図】なし