| 摘要 |
【課題】動作電圧をより低下させ、かつ副発光ピーク強度を抑え、副発光ピーク強度を抑制したＩＩＩ族窒化物発光素子を製造できる方法を提供する。【解決手段】基板上に、組成式ＡｌＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ（０＜Ｘ１≦１．０）で表されるｎ型層、組成式ＡｌＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ（０＜Ｘ２≦１．０）で表される活性層、組成式ＡｌＸ３Ｇａ１−Ｘ３Ｎ（０＜Ｘ３≦１．０）で表されるｐ型層をこの順で有するＩＩＩ族窒化物発光素子を有機金属気相成長法で製造する方法であって、該ｎ型層の成長温度をＴ１、該活性層の成長温度をＴ２、および該ｐ型層の成長温度Ｔ３としたとき、下記式（１）、（２）を満足する成長温度で該ｎ型層、該活性層、および該ｐ型層を成長するＩＩＩ族窒化物発光素子の製造方法である。Ｔ１＜Ｔ２≦Ｔ３（１）。Ｔ３≧Ｔ１＋２０（２）。【選択図】図１ |
