发明名称 単結晶成長方法およびその装置
摘要 【課題】所望の寸法の直方体形状を有するチタン酸バリウムストロンチウム単結晶の成長装置及び成長方法の提供。【解決手段】るつぼ11は、直方体の形状を有し、炉内の温度を一定に保つ均熱管13と、原料溶融体8を昇温溶融するためのヒータ14とが、るつぼ11の中心軸を共有する直方体形状であり、炉内に設置されたるつぼ11内の原料溶融体8の表面に、種子結晶7を接触させ、種子結晶7が取り付けられる引き上げ軸6とるつぼ11とは、結晶成長中に回転させずに、原料溶融体8を冷却することにより、種子結晶7を核として結晶を成長させる単結晶成長装置及び成長方法。【選択図】図4
申请公布号 JP2017024946(A) 申请公布日期 2017.02.02
申请号 JP20150145950 申请日期 2015.07.23
申请人 日本電信電話株式会社 发明人 川村 宗範;今井 欽之;坂本 尊
分类号 C30B29/32;C30B15/10;C30B15/32 主分类号 C30B29/32
代理机构 代理人
主权项
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