发明名称 |
电控连续渐变折射率电光晶体偏转器 |
摘要 |
电控连续渐变折射率电光晶体偏转器,属于电光偏转器技术领域。本发明是为了解决现有声光衍射式偏转器对于光束的入射角度有要求,且对同一角度入射的不同波长的光波不能同时形成衍射偏转的问题。它将电光偏转晶体放置到待偏转光路中,使入射光束垂直入射于电光偏转晶体表面,所述入射光束的入射方向与电光偏转晶体的生长方向相垂直;沿垂直于电光偏转晶体生长方向施加外加电压,使电光偏转晶体沿生长方向形成渐变折射率梯度分布,进而使电光偏转晶体内部光波等相位面发生偏转,并在其输出端实现光束方向的偏转;所述外加电压的电场方向与光束的入射方向相垂直。本发明作为一种电光晶体偏转器。 |
申请公布号 |
CN104076573B |
申请公布日期 |
2017.02.01 |
申请号 |
CN201410338950.5 |
申请日期 |
2014.07.16 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
田浩;周忠祥;姚博;谭鹏 |
分类号 |
G02F1/29(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/29(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 |
代理人 |
张利明 |
主权项 |
一种电控连续渐变折射率电光晶体偏转器,其特征在于,它包括电光偏转晶体(1)和外加电压(2),电光偏转晶体(1)为顺电相电光晶体,沿顺电相电光晶体的生长方向切割获得,该顺电相电光晶体为采用顶部籽晶助溶剂法生长出的组分沿生长方向连续变化的晶体;将电光偏转晶体(1)放置到待偏转光路中,使入射光束垂直入射于电光偏转晶体(1)表面,所述入射光束的入射方向与电光偏转晶体(1)的生长方向相垂直;沿垂直于电光偏转晶体(1)生长方向施加外加电压(2),使电光偏转晶体(1)沿生长方向形成渐变折射率梯度分布,进而使电光偏转晶体(1)内部光波等相位面发生偏转,并在其输出端实现光束方向的偏转;所述外加电压(2)的电场方向与光束的入射方向相垂直。 |
地址 |
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |