扩散后不良片的单独返工方法

摘要

一种扩散后不良片的单独返工方法，步骤包括：将返工片经纯水清洗、碱槽清洗、纯水清洗、混酸槽清洗、纯水清洗、硅片表面的水烘干，流入扩散工序重新扩散，然后清洗去PSGPECVD镀膜，丝网印刷及高温炉烧结，最后分选测试即可。本发明不需要重新制绒，能保证小绒面，有效解决亮花纹片的出现，确保成品电池片的外观及效率；此专利本质上是对不良片的一个分类处理，之前所有的返工片都会制绒，为保证硅片上的脏污清洗掉，高方阻不良片不存在外观污染的问题，所以不需要制绒，且有效降低化学品用量。

主权项

一种扩散后不良片的单独返工方法，其特征在于，步骤包括：（1）将制绒槽的混合液降下去，返工片从制绒槽滚轮上正常经过；然后将返工片置于纯水冲洗槽中用纯水清洗，纯水的流速为18‑22 L/min，冲洗槽中带动返工片移动的滚轮的转速为2.3‑2.7m/min；（2）然后返工片再经过碱槽，碱槽中放置质量百分比浓度为1%‑10%KOH溶液，用于去除硅片表面的多孔硅；（3）返工片再流经纯水冲洗槽进行第二次清洗，纯水的流速为18‑22L/min，冲洗槽中带动返工片移动的滚轮的转速为2.3‑2.7m/min，以冲洗硅片表面残留的碱 ；（4）然后返工片流经混酸槽，混酸槽中设置质量百分比浓度为5%‑15%的HF和质量百分比浓度为5%‑15%的HCL；（5）然后返工片再流经纯水冲洗槽进行第三次清洗，纯水的流速为18‑22L/min，冲洗槽中带动返工片移动的滚轮的转速为2.3‑2.7m/min，以冲洗硅片表面残留的混合液；（6）然后返工片流经烘干槽，烘干温度在35‑40℃，将硅片表面的水烘干；（7）将烘干后的返工片流入扩散工序重新扩散，然后清洗去PSG、PECVD镀膜，丝网印刷以及高温炉烧结，最后分选测试即可。