| 发明名称 | 一种改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法，包括：第一步骤：提供用于多晶硅栅极刻蚀工艺的等离子体反应腔体和需要执行多晶硅栅极刻蚀工艺处理的半导体结构；第二步骤：在所述等离子体反应腔体内以使静电吸盘具有非对称性的方式固定静电吸盘；第三步骤：将所述半导体结构置于反应腔体内进行多晶硅栅极刻蚀工艺；其中，在多晶硅刻蚀的预定步骤的一步或多步之前或之后执行减少刻蚀腔体内残留的刻蚀副产物的附加清除步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN106373876A | 申请公布日期 | 2017.02.01 |
| 申请号 | CN201611028534.0 | 申请日期 | 2016.11.18 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 胡伟玲;聂钰节;唐在峰;吴智勇;任昱;吕煜坤 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种改善非对称性静电吸盘刻蚀腔体边缘缺陷的方法，其特征在于包括：第一步骤：提供用于多晶硅栅极刻蚀工艺的等离子体反应腔体和需要执行多晶硅栅极刻蚀工艺处理的半导体结构；第二步骤：在所述等离子体反应腔体内以使静电吸盘具有非对称性的方式固定静电吸盘；第三步骤：将所述半导体结构置于反应腔体内进行多晶硅栅极刻蚀工艺；其中，在多晶硅刻蚀的预定步骤的一步或多步之前或之后执行减少刻蚀腔体内残留的刻蚀副产物的附加清除步骤。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||