| 发明名称 | 刺激电极结构及人工视网膜的植入装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种刺激电极结构，其包括：绝缘衬底；以及多个刺激电极，其设置在所述绝缘衬底中，并且构成沿着与所述绝缘衬底平行的二维方向排列的阵列体，所述刺激电极从所述绝缘衬底的表面突起，所述多个刺激电极的各个刺激电极的电极高度大致相同，所述多个刺激电极与所述绝缘衬底的表面相距的电极距离从所述阵列体的向所述阵列体的边缘逐渐减小。在本发明所涉及的人工视网膜的电极阵列中，既形成了由三维刺激电极构成的阵列体，同时也降低了刺激电极之间的阻抗差异，从而能够更加有效地对视网膜进行刺激。 | ||
| 申请公布号 | CN106362279A | 申请公布日期 | 2017.02.01 |
| 申请号 | CN201610624835.3 | 申请日期 | 2016.08.01 |
| 申请人 | 深圳硅基仿生科技有限公司 | 发明人 | 赵瑜;方俊飞;王蕾 |
| 分类号 | A61N1/05(2006.01)I;A61N1/36(2006.01)I;A61F9/00(2006.01)I | 主分类号 | A61N1/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳舍穆专利代理事务所(特殊普通合伙) 44398 | 代理人 | 黄贤炬 |
| 主权项 | 一种刺激电极结构，其特征在于：包括：绝缘衬底；以及多个刺激电极，其设置在所述绝缘衬底中，并且构成沿着与所述绝缘衬底平行的二维方向排列的阵列体，所述刺激电极从所述绝缘衬底的表面突起，所述多个刺激电极的各个刺激电极的电极高度大致相同，所述多个刺激电极与所述绝缘衬底的表面相距的电极距离从所述阵列体的中央向所述阵列体的边缘逐渐减小。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市宝安区新安街道留芳路6号庭威产业园3栋4楼A区 | ||