具有穿衬底通孔和背垫金属的半导体晶片以及其制造方法

摘要

半导体晶片的实施例包括半导体衬底、多个穿衬底通孔(TSV)以及导电层。这些TSV在第一衬底表面与第二衬底表面之间延伸。这些TSV包括各具有在第一方向上对准的主轴线的第一子组的沟槽通孔，以及各具有在第二不同方向上对准的主轴线的第二子组的沟槽通孔。这些TSV在该衬底的对准区中形成对准图案。该导电层直接连接到该第二衬底表面且连接到这些TSV的第一端。将这些TSV用于对准，该导电层可被图案化以使得该导电层的一部分直接耦合到这些TSV，并且因此该导电层包括至少一个导电材料空隙(例如，与在该第一衬底表面处的无源组件对准)。

主权项

一种半导体晶片，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一衬底表面和第二衬底表面；多个第一穿衬底通孔，所述第一穿衬底通孔在所述第一衬底表面与第二衬底表面之间延伸，其中所述多个第一穿衬底通孔包括各具有在第一方向上对准的主轴线的第一子组的一个或多个沟槽通孔，以及各具有在不同于所述第一方向的第二方向上对准的主轴线的第二子组的一个或多个沟槽通孔，且所述多个第一穿衬底通孔在所述衬底的对准区中形成对准图案；以及导电层，所述导电层直接连接到所述第二衬底表面且连接到所述多个第一导电穿衬底通孔的第一端。